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633 nm High Power

HeNeレーザー置換用 半導体レーザー

  • 100 .. 150 mW @ 633 nm における単一周波数出力
  • 短時間での発振線幅 < 5 MHz
  • ヨウ素ガスセルまたは参照用HeNeレーザーへの周波数ロックが可能
  • 周波数安定性 @ 1 時間: ± 10 MHz (± 0.01 ppm)
  • 周波数安定性 @ 1000 時間: ± 10 MHz (± 0.01 ppm)

干渉計測、エリプソメトリ、半導体測定検査に最適です!トプティカ社ではクラッシックな633nmレーザーの置き換えに最適な高出力633 nm半導体レーザーの開発に成功しました。このシステムでは既に市場における豊富な実績のある分布帰還型半導体レーザー (DFB) 技術を採用しています。

当社独自の技術を用い、基本波 1266 nm は最初に光増幅され 633 nmへとSHG波長変換が行われます。信頼性の高い周波数ロッキングアルゴリズムを採用し、低出力のHeNeレーザーまたはヨウ素吸収遷移ガスセルをリファレンスとして波長安定化を行います。これにより出力パワーと周波数の両面において類まれなパフォーマンスを同時に可能とします。1000時間での長期間における相対的な周波数の不確かさは 10-8 レベルに達しています。出力は 100 mW以上で、1台の高出力のレーザーを複数のHeNeレーザーと置き換えることが可能です。さまざまな最先端の光測定アプリケーションでご活用頂けます。

現在の生産状況: OEM供給可能。お問合せ下さい。