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Photoconductive Switches

パルステラヘルツ発生用コンパクトモジュール

    • ファイバー結合タイプ InGaAs テラヘルツアンテナ 
    • SM/PM ファイバーピグテイル、シリコンレンズを内蔵
    • 高テラヘルツ出力: > 30 µW
    • 広帯域バンド幅 > 5 THz
    • 当社のTeraFlash システムでコアコンポーネントとして採用

    最先端技術でのパルステラヘルツ発生 : InGaAsアンテナで30μWのパワー並びに5THz以上のバンド幅を発生させることができます。フラウンホーファーハインリッヒヘルツ研究所(ドイツ、ベルリン)により開発されたエミッター/ ディテクターモジュールはそれぞれ、ストリップラインとダイポールアンテナを備えておりシリコンレンズとSM/PMファイバーでパッケージされています。これらのアンテナはトプティカ社のTeraFlashのコアコンポーネントとして使われていますが、個々のモジュールとして使用することもできます。

    • Specifications
      仕様#EK-000781 (エミッタ―) /
      #EK-000782 (レシーバ)
      テラヘルツエミッタ―InGaAs/InP 光伝導スイッチ、100 µmストライプアンテナ 
      #EK-000979: ファイバー長 = 0.3 m
      #EK-000781: ファイバー長 = 1.0 m
      #EK-000978: ファイバー長 = 2.5 m
      テラヘルツレシーバInGaAs/InP 光伝導スイッチ、25 µmダイポールアンテナ、 10 µm ギャップ幅 
      #EK-000981: ファイバー長 = 0.3 m
      #EK-000782: ファイバー長 = 1.0 m
      #EK-000980: ファイバー長 = 2.5 m
      半導体種別InGaAs and InAIAs in InP、マルチレイヤ―構造
      入力波長1560 nm
      エミッタ―/レシーババンド幅> 5 THz
      テラヘルツ出力(典型値)30 µW @ 20 mWレーザー入力時
      パッケージシリンドリカル, Ø 25 mm
      Siレンズ内蔵、SM/PMファイバーピッグテール
      推奨動作条件

      レーザー入力パワー: 20 mW(平均値)
      最大バイアス:+100V(単極、エミッター)、±3V(レシーバ、テスト時のみ)

    • Additional Information
    • Applications
      • プラスチック部品検査
      • 塗装膜・コーティング膜厚検査
      • 紙品質検査
      • 水和作用モニタリング
      • 高速空間通信
      • 超高速ダイナミクス
      • ガスセンシング
      • 基礎テラヘルツ物理

         

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    • Literature
    • Related Products