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DFB pro

Distributed-feedback laser

  • 分布帰還型半導体レーザーを採用した単一周波数レーザー
  • 豊富な波長ラインナップ: 633 nm, 760 nm .. 3500 nm
  • モードホップフリーチューニングレンジ: 最大 1400 GHz
  • 過酷な環境でも使用可能な高い信頼性
  • 3 つのレーザーヘッドオプション – 様々なオプション

分布帰還型 (DFB) 半導体レーザーは広い波長チューナビリティと高出力を同時に可能とします。 波長選択性を持った素子 – ブラッグ回折格子 – は半導体レーザーのアクティイブレイヤーに配置され安定的で連続した単一周波数発振を可能にします。光学アライメント調整のための部品が無いためDFBレーザーは類まれな安定性と信頼性を誇ります。北極圏での使用、空中輸送中での使用など究極的に過酷な環境下でもその性能を発揮します。

ご用途に合わせ3種類のレーザーヘッドをご用意しています。コンパクト設計のDFB pro、9mm CAN, TO-3型パッケージにも対応した拡張設計のDFB pro、バタフライパッケージに対応したDFB pro BFYをご用意しています。

DFB半導体レーザー固有の広い波長チューニングレンジは原子・分子物理、ガスセンシング、位相シフト干渉計測、CWテラヘルツ波発生など様々なアプリケーションに最適です。

  • Specifications
    DFB proDFB pro LDFB pro BFY
    中心波長633 nm, 760 nm - 3500 nm1064 nm .. 2000 nm *
    出力2 .. 150 mW 10 .. 100 mW (ファイバ出力)
    波長チューニングレンジ2 .. 6 nm 2 .. 5 nm, モードホップフリー
    温度による波長チューニング
       チューニングレンジ(典型値)> 1000 GHz > 600 GHz
       スキャン速度(典型値)50 GHz / sec 25 GHz / sec
       変化率(典型値)-25 GHz / K -10 .. -15 GHz / K
    電流による波長チューニング  
    チューニングレンジ(典型値)50 GHz > 25 GHz
     スキャン速度(典型値)最大MHz帯域最大MHz 帯域
      変化率(典型値)1 .. 10 GHz / mA (@ 1 Hz速度にて) 0.3 .. 1.0 GHz / mA (@ 1 Hz速度にて)
    発振線幅(5 µs時間幅、典型値)1 .. 4 MHz 0.5 .. 5 MHz
    出力ビーム特性コリメート光, 3 mm x 1 mm (Beam shaping / proを用いた場合は円形)円形, 拡がり角を持つ。ファイバー NA typ. 0.12
    偏光特性直線偏光, > 100:1 直線偏光, 100:1(典型値)
    高速変調機能
    (ACおよびDC 結合)
    内蔵内蔵内蔵
    Beam shaping / proオプション対応オプション対応--
    光アイソレータオプション対応, 30 dB **オプション対応, 30 dB または 60 dB内蔵 ***
    ファイバ結合出力SmartDock, オプション対応FiberDock, オプション対応ファイバピッグテール出力
    ファイバ結合効率: 最小値. (典型値.)50% (60%)50% (60%)N.A.
    beam shaping / proを用いた際のファイバ結合効率: 最小値. (典型値.)55% (65%)55% (65%)N.A.
    レーザーヘッド外形寸法(H x W x D)45 x 90 x 165 mm****90 x 90 x 240 mm****55 x 130 x 165 mm
    レーザーヘッド重量
    2 kg3 kg1 kg
    代表的な波長ラインナップ633 nm780 / 795 nm1178 nm (butterfly)
     780 / 795 nm852 / 895 nm1.5 µm
     852 / 895 nm1000-1100 nm1.65 µm
     > 2 µm (空間出力のみ、アイソレータ内蔵不可)1178 nm2 µm (butterfly)
    コントローラ外形寸法 (H x W x D)150 x 465 x 385 mm (19" ラックサイズ) 
    コントローラ重量8 kg 
    動作電圧100 .. 240 V~, 50/60 Hz (ワイドレンジ入力) 
    消費電力典型値. < 100 W, 最大値. 300 W 
    PCインターフェイスUSB (DigiLockデジタルコントローラ使用時) 
    環境温度15 - 30 °C (動作時), 0 - 40 °C (保管および輸送時)
    環境湿度結露無きこと

    * 一部対応できない波長ギャップがございます。
    ** Beam shaping / proが別途必要となります。
    *** ご要求により外付けファイバー型アイソレータをご用意しています。
    **** ファイバ結合器の寸法は含みません。

  • Additional Information
  • Options

    ファイバ出力オプション (FiberDock)

    特許取得済みの独自技術を用いたトプティカ社のファイバ結合器はシングルモードファイバへの高い結合効率、 容易な光軸調整また同時に高い安定性をご提供します。また豊富なシングルモードファイバ、偏波面保存ファイバ、 ファイバスプリッタをご用意しています。ファイバ出力をご希望の際は合わせて光アイソレータが必要となります。

    光アイソレータ(シングル/ダブルステージ)

    光アイソレータは戻り光反射から半導体レーザーを保護します。 恒久的なダメージを防ぐだけでなく安定したシングルモード動作および波長チューニングにも寄与します。 角度付研磨(両端)された光ファイバと結合する際には少なくともシングルステージ光アイソレータが必須となります。ダブルステージ光アイソレータは実験系からの強い戻り反射光が懸念される際に必要となります。 PCなど角度を持たない研磨を持つ光ファイバと結合する際にもダブルステージ光アイソレータは必須となります。

    ビーム形状補正

    アナモルフィックプリズムペア(APP)またはシリンドリカルレンズを用いて楕円形状のビームを円形形状に補正します。 十分に小さなビームに圧縮することにより廉価で小さい開口径光アイソレータでの使用が可能になり、 またファイバとの結合効率をおよそ10%向上することが可能になります。圧縮率は工場出荷前の設定となります。 

    Bias-T

    DL pro (HP) は最大150 MHz周波数の電流変調を可能にする2つの変調入力ポートを持ちます。Bias-Tを用いることで 最大数GHzの電流変調が可能になります(各半導体レーザー素子により仕様は異なります)。す。TA pro光増幅器レーザー、 NLO 波長変換レーザーのシード光にも適用可能です。

    エレクトロニクスモジュールレーザー制御のための様々なコントロールエレクトロニクス、また周波数の安定化およびロッキングのための モジュール製品を多数ご用意いています。 
  • Applications
    • アルカリ性分光法
    • 分子物理
    • ガスセンシング
    • 光干渉計測 & ホログラフィ
    • 光通信
    • 磁界測定
    • CWテラヘルツ波発生
  • Downloads
  • Literature
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    • Frequency converted diode lasers 波長変換外部共振器半導体レーザー (193nm DUV波長対応)
    • Laser Locking Electronics: 周波数安定化のための豊富なモジュールラインナップ
    • AR, FP, and DFB Laser Diodes: ARコート付き、ファブリペロー型、DFB半導体レーザー
    • Photonicals: 豊富なPhotonicals (光アクセサリー製品)をご用意。ファブリペロー干渉計など様々なレーザー実験に