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テラヘルツレーザー光源

Advantages of optoelectronic systems

  • オプトエレクトロニクスシステム:高帯域幅、高速
  • 分光または非破壊検査に最適
  • パルステラヘルツ:高速測定、広いスペクトル
  • cwテラヘルツ:高精度な周波数チューニング、高分解能

0.5から5テラヘルツの分光学的に特に興味深い周波数帯域へのアクセスは容易ではありません。周波数逓倍器を有する電圧制御発振器のような電気的な信号発生源は数百GHz帯域までの高出力レベル(mWレンジ)を可能としますがサブミリ波帯域での発生効率は期待できません。量子カスケードレーザのような直接的な光源は通常、極低温で動作する場合でも> 2THzの周波数に限定されます。

オプトエレクトロニックテラヘルツ発生は、近赤外レーザー光が金属 - 半導体 - 金属から成る構造を照射しテラヘルツ波の発生源となるフォトカレントを発生させる間接的な発生方法です。パルス波連続波(CW)技術の両方が実現されており、両方ともそれぞれ特徴的なメリットがあります。パルステラヘルツ放射は広い帯域幅(通常0.1〜5 THz)を提供し、非常に高速な測定が可能です。スペクトルデータはミリ秒単位で取得できます。一方、周波数分解能は数GHzに制限されています。一方でcwシステムでは帯域幅が狭く(通常0.1~3 THz)測定時間が長くなります。スペクトルの取得には数分かかることがありますが周波数は比類のない精度を実現します(最大数MHzまで) 。

トプティカ社は時間領域(パルス)および周波数領域(CW)の両方のテラヘルツアプリケーション用のコンポーネントと完全なシステムを提供しています。

 

 

 

 

 

  • Time-domain terahertz platform TeraFlash

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